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AIXaTECH – Start-up mit hoch geschätzter Perspektive

Übergabe der Auszeichnung an Dr. Volker Sinhoff , CEO der AIXaTECH GmbH, während des IPIEC Gobal Finals 2019 in Guangzhou, China.

Während des «IPIEC Global Finals», das am 16. Dezember 2019 in Guangzhou, China, stattfand, wählten die Juroren die AIXaTECH GmbH unter die ersten drei wertvollsten Start-ups. Sie attestierten dem Unternehmen hervorragende Marktaussichten und sind von einem nachhaltigen Erfolg der AIXaTECH GmbH im Halbleitersegment überzeugt.  

IPIEC GLOBAL ist ein internationaler Wettbewerb, der sich an Start-up Unternehmen aus dem High-Tech Sektor wendet. Über diese Plattform erhalten die Unternehmen, die den Wettbewerb erfolgreich abschließen, bevorzugten Zugang zu Business Partnern, Investoren und potentiellen Kunden im chinesischen/asiatischen Markt.

In Vorausscheidungen in Australien, Deutschland, Großbritannien, Hong Kong, Israel, Korea, Malaysia (Asean), Russland und der Schweiz wurden mehr als 2000 High-Tech Start-ups evaluiert und anschließend die erfolgversprechendsten 30 nach Guangzhou eingeladen. Im Finale wurde AIXaTECH von der Jury zu den 3 Unternehmen gezählt, denen beste Erfolgschancen in ihrem Marktsegment attestiert werden. AIXaTECH überzeugte die Jury mit seiner neuartigen Niedertemperaturepitaxie, die neben ökologischen Vorteilen vor allem erheblichen Kosteneinsparungen und funktionale Vorteile im Segment der Wide-Bandgap-Halbleiter verspricht.

”Unsere Niedertemperatur-Epitaxiesysteme sind ein entscheidender Baustein für zukünftige Massenmärkte. So haben beispielsweise Anwender wie Apple und Samsung angekündigt, ihre OLED-Displays durch microLED-Displays zu ersetzen, da sie 50% weniger Energie verbrauchen, was für mobile Anwendungen ein entscheidendes Kriterium im Hinblick auf Device-Performance ist. Allein die Fertigung dieser microLED-Displays ist Stand heute um ein Vielfaches teurer als das Smartphone, in dem es genutzt werden soll. Mit unserem monolithischen Ansatz, die microLEDs direkt auf dem Glas zu wachsen, verfolgen wir einen bahnbrechenden neuen Weg, der neben der Senkung der Epitaxiekosten die aufwendige Montage obsolet macht, die ebenfalls eine wesentliche Barriere für den Markteintritt darstellt.“ hebt Dr. Volker Sinhoff, CEO der AIXaTECH GmbH, die Vorteile des Verfahrens im Displaymarkt hervor. “Ähnlich verhält es sich im Bereich der Hochleistungselektronik, wo Wide-Bandgap-basierte Transistoren mit siliziumbasierten Lösungen konkurrieren. Obwohl technologisch überlegen, verhindern die hohen Epitaxiekosten den Einsatz im Konsumgüterbereich. Durch Kostenvorteile von über 80% gegenüber heute gängigen Fertigungsmethoden kann durch den Einsatz der Niedertemperaturepitaxie Preisparität erzielt werden und den energieeffizienten Produkten in Massenanwendungen zum Erfolg verholfen werden“ ergänzt Dr Yilmaz Dikme, CTO der AIXaTECH GmbH. “Zusätzliche Anwendungen sehen wir im Bereich der 5G-Technologie. Das milliardenschwere Marktwachstum wird maßgeblich von dem enormen Nachfrageschub im Bereich der Bandpassfilter gespeist. Aber auch gänzlich neue Produkte ermöglicht die AIXaTECH Technologie. So rücken durch die niedrigen Prozesstemperaturen in Kombination mit der geometrischen Flexibilität Produkte wie großformatige LEDs oder Funktionsbauteile auf flexiblen Substraten erstmalig in den Fokus.“ schließt Dr. Sinhoff den Kreis der Anwendungen.

AIXaTECH unterstützt mit seiner neuartigen Technologie daher Megatrends wie die autonome/elektrische Mobilität, schnelle Datenverarbeitung/5G, effiziente Beleuchtung, künstliche Intelligenz und Energieeffizienz – alles Märkte mit zweistelligen Wachstumsraten. Gerade in Zeiten, wo etablierte Industrien vor Paradigmenwechseln stehen, kann AIXaTECH damit ein wichtiger Impulsgeber für die Entwicklung neuer Märkte und Anwendungen werden – nicht nur in China.

AIXaTECH befindet sich in vielversprechenden Gesprächen mit potenziellen Kunden in China wie auch in anderen Ländern.

AIXaTECH GmbH

AIXaTECH is a volume manufacturer of single crystal AlN templates, to enable an efficient GaN growth for LEDs and power electronic devices.Compared with the conventional approach of growing GaN-based layers in a standard MOCVD reactor on sapphire...more...